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臺(tái)積電3nm工藝或?qū)⒘慨a(chǎn):最早下半年 最遲明年上半年

2022-03-06 10:23 作者:安卓在線 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò)整理 瀏覽:

摘要::臺(tái)積電,臺(tái)積電3nm,臺(tái)積電【手機(jī)中國(guó)新聞】在5nm工藝制程之后,臺(tái)積電3nm工藝制程的量產(chǎn)事情備受矚目。3月6日動(dòng)靜,據(jù)外媒報(bào)道,臺(tái)積電正在努力推進(jìn)3nm工藝制程的量產(chǎn)打算,估量將在2022下半年至2023年上半年

  【手機(jī)中國(guó)新聞】在5nm工藝制程之后,臺(tái)積電3nm工藝制程的量產(chǎn)事情備受矚目。

  3月6日動(dòng)靜,據(jù)外媒報(bào)道,臺(tái)積電正在努力推進(jìn)3nm工藝制程的量產(chǎn)打算,估量將在2022下半年至2023年上半年之間實(shí)現(xiàn)3nm工藝制程的量產(chǎn)。而此前有動(dòng)靜稱,臺(tái)積電3nm工藝會(huì)在本年下半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),并且初期產(chǎn)能有限。這說(shuō)明,臺(tái)積電3nm工藝的量產(chǎn)又向后延了。

臺(tái)積電
臺(tái)積電

  從今朝的動(dòng)靜來(lái)看,,臺(tái)積電3nm工藝制程擁有N3、N3B和N3E等多個(gè)節(jié)點(diǎn),3E在N3基本上淘汰了EUV光罩層數(shù),從25層淘汰到21層,邏輯密度低了8%,不外仍比5nm的N5制程節(jié)點(diǎn)要跨越60%,而且具有更好的機(jī)能、功耗和產(chǎn)量。作為3nm簡(jiǎn)化版的N3E節(jié)點(diǎn),量產(chǎn)節(jié)點(diǎn)大概提前到2023年上半年。

  按照臺(tái)積電發(fā)布的1月財(cái)報(bào)數(shù)據(jù),其1月?tīng)I(yíng)收1721.76億新臺(tái)幣,折合約61.88億美元(去年12月份為56.1億美元)。這是臺(tái)積電單月?tīng)I(yíng)收首次高出60億美元。而跟著3nm工藝的量產(chǎn),臺(tái)積電將迎來(lái)新的市場(chǎng)需求。

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