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日前終于亮出首個3nm工藝制造的12英寸晶圓

2022-05-22 01:51 作者:安卓在線 來源:網(wǎng)絡(luò)整理 瀏覽:

摘要::三星,GAA技能,3nm工藝【CNMO新聞】臺積電版的驍龍8+確實令三星陷入了個不小的困境,不外,作為志在“2030年前,成為全球最先進(jìn)的半導(dǎo)體制造公司之一”的三星,日前終于亮出首個3nm工藝制造的12英寸晶圓

  【CNMO新聞】臺積電版的驍龍8+確實令三星陷入了個不小的困境,不外,作為志在“2030年前,成為全球最先進(jìn)的半導(dǎo)體制造公司之一”的三星,日前終于亮出首個3nm工藝制造的12英寸晶圓,并打算在本年Q2季懷抱產(chǎn)。

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  據(jù)三星透露,與7nm制造工藝對比,3nm GAA技能的邏輯面積效率提高了45%以上,功耗低落了50%,機能提高了約35%,紙面參數(shù)上來說卻是要優(yōu)于臺積電3nm FinFET工藝。

  對三星來說,3nm節(jié)點是他們押注芯片工藝趕超臺積電的要害,三星的3nm節(jié)點啟用GAA技能,這是一種新型的環(huán)抱柵極晶體管,通過利用納米片設(shè)備制造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET,多橋-通道場效應(yīng)管),該技能可以顯著加強晶體管機能,主要代替FinFET晶體管技能。

  另一方面,據(jù)此前業(yè)界曝光的信息:臺積電將于本年下半年小局限試產(chǎn),來歲才會舉辦大局限量產(chǎn)3nm工藝。所以,憑借絕對的時間進(jìn)度,固然廠商們或者會記掛三星良品率不可等負(fù)面據(jù)說,但3nm工藝GAA技能的絕對機能晉升照舊為三星帶來了極大的優(yōu)勢。

三星,GAA技能,3nm工藝http://m.afofamily.com/news/xingyezixun/129047.html

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